Operatīvā atmiņa

Atmiņas elementu īpatnības Uzbūve un darbības principi Adreses, Piekļuves laiks Wait State Atmiņas organizācija Paketes režīms Atmiņas pamīšus adresācija Atmiņas dalīšana lapās

Atmiņas tipi

DRAM
SIP moduļi, SIMM moduļi, DIMM moduļi, RIMM moduļi
SRAM, NVRAM, ZIPRAM u.c.

Citas atmiņu raksturojošas lietas

Ražotāji un perspektīvas

Atmiņas elementi ir jebkura datora iekšējās darbības pamats. Lai procesors varētu izpildīt programmas, tām ir jābūt ielādētām darba (tā kura ir pieejama lietotājam) atmiņā. Datora sastāvā ir vairākas atšķirīgas atmiņas formas - RAM, ROM un video atmiņa uc. Taču bieži nosaukums atmiņa tiek izmantots kā sinonīms RAM atmiņai. CPU ir tieša piekļuve datiem, kuri atrodas operatīvajā atmiņā (Random Access Merory, RAM), ar citu ārējo atmiņu (diskiem) procesors strādā caur buferiem, kuri ir operatīvās atmiņas veids (lietotājam nav pieejama). Operatīvā atmiņa RAM ir pati atrākā atmiņas iekārta un informāciju tajā var gan ierakstīt, gan nolasīt no tās. RAM trūkums ir tas, ka informācija tajā glabāja tikai tik ilgi, kamēr tai ir nodrošināta barošana.

Atmiņas elementu īpatnības

RAM uzdevums ir nodrošināt procesoru ar nepieciešamo informāciju. Tas nozīmē to, ka dati jebkuru mirkli var būt nepieciešami apstrādei.

Operatīvā atmiņa pieder dinamisko atmiņu kategorijai - tas nozīmē, ka darbības laikā ik pa noteiktam laika sprīdim tās saturs ir jāatjauno. Dinamiskās atmiņas pamatelements ir kondensators, kurš var atrasties uzlādētā vai neuzlādētā stāvoklī. Ja kondeksators ir uzlādēts, tad elementā ir ierakstīta vērtība 1, ja izlādēts - 0. Ideālā kondensatorā lādiņš var saglabāties bezgalīgi ilgi, taču reālajā kondensatorā pastāv strāvas noplūdes, tādēļ dinamiskās atmiņas elementā ierakstītā informācija var pazust.

Atjaunošanas (reģenerācijas) process norit katras datu ieraktīšanas vai nolasīšanas laikā. Neviena programma nevar garantēt, ka tā griezīsies pie visām atmiņas šūnām. Tāpēc ir izveidota speciāla shēma, kura ik pēc noteikta laika (piemēram, 2 ms) veiks datu nolasīšanu no visām atmiņas rindām. Šajā laikā procesors atrodas gaidīšanas režīmā. Viena cikla laikā shēma veic visu dinamiskās atmiņas rindu reģenerāciju.

Uzbūve un darbības principi

Katrs operatīvās atmiņas elements ir elektrisko slēdžu sistēma un kondeksators. Tā kā kondensatora kapacitāte ir liela un tas ir izveidots kā pusvadītāju pāreja kremija kristālā, parādās vēl papildus pretestība, caur kuru kondensators izlādējas. Vienlaikus tiek kropļota arī kaimiņu šūnās esošā informācija. Laiks, kurā elementa stāvoklis ir stabils, ir dažas milisekundes. Pēc tam informāciju ir nepieciešams atjaunot. Tāda pārraksīšanas procedūra ieguvusi apzīmējumu atjaunošana jeb reģenerācija (Refresh). Apskatītā tehnoloģiskā procesa pamatā ir lauku tranzistoru izmantošana, kurā katrs elements var glabāt vienu informācijas vienību (bitu).

Parasti atmiņas šūnas ir novietotas rindu un kolonu matricā un datu šūnas pilnā adrese dalās divās daļās - rindas adrese (row address) un kolonas adrese (column address). Rindas adreses nodošanai atmiņas mikroshēmai izmanto signālu RAS (Row Address Strobe), bet kolonas adreses  - CAS (Column Address Strobe).

Griešanās laikā pie dinamiskās atmiņas mikroshēmas, informācijas ierakstīšanai vai nolasīšanai, tiek nodota rindas adrese un tūlīt vai pēc kāda laika RAS signāls, un tad pēc kāda laika kolonas adrese, kuru pavada signāls CAS. Pieejas laiku atmiņai nosaka nolasīšanas laiks (kondensatora izlādēšanās) un reģenerācijas laiks (kondensatora uzlādēšanās).

Griežoties pie atmiņas (lasot vai rakstot) atmiņas ieejās tiek padota rindas adrese un RAS signāls. Tas nozīmē, ka katra kolonas maģistrāle savienojas ar izvelētās rindas katru šūnu. Tā kā informācija tiek glabāta kondensatora lādiņa veidā, lai nolasītu informāciju, ir nepieciešama iekārta ar lielu ieejas pretestību. Lai nodrošinātu strāvas noplūdi, tai ir jāierobežo kondensatora lādiņa strāva. Šī iekārta ir nolasošais pastiprinātājs, kas ir pieslēgts dinamiskās atmiņas kolonas kopējai maģistrālei. Informācija tiek nolasīta no visas atmiņas elementu rindas vienlaicīgi un saglabāta reģistrā.

Neilgu laiku pēc RAS signāla uz dinamiskās atmiņas ieejām tiek padota kolonas adrese un signāls RAS. Lasīšanas laikā pēc kolonas adreses, dati tiek ņemti no rindas reģistra un padoti uz dinamiskās atmiņas izejām.

Nolasot informāciju, lasīšanas pastiprinātāji informāciju sagrauj, tāpēc tās saglabāšanai to vajag pārrakstīt no jauna: reģistra izejas atkal tiek savienotas ar kolonu kopējo maģistrāli. Ja attiecīgā šūna bija uzlādēta, tās lādiņš tiks atjaunots vēl pirms lasīšanas cikla beigām. Uz šūnām, kuras uzlādētas nebija, spriegumu nepadod.

Ja informācija atmiņā tiek ierakstīta, tiek padots signāls WR (Write) un informācija nonāk kolonas kopējā maģistrālē ne no reģistra, bet no atmiņas informatīvajām ieejām caur komutatoru. Tādā veidā, datu virzīšanos ierakstīšanas laikā nosaka kolonas un rindas adresu signāli un ierakstīšanas atļaujas signāls. Ierakstīšanas laikā datus no rindas reģistra uz izejām (DO) nepadod.

Adreses

Galvenais operatīvās atmiņas darbā ir informācijas novietošana noteiktos atmiņas apgabalos. Lai to varētu veikt, katram atmiņas elementam ir sava adrese. Tāpēc arī dati atmiņā vat tikt izvietoti, ierakstīti un nolasīti turpmākai apstrādei bez konfliktiem.

Piekļuves laiks

Vēl viens rādītājs ir pieejas laiks. Tas ir laika intervāls, kurā informācija atmiņā tiek ierakstīta vai nolasīta. Piekļuves laiku ārējiem datu nesējiem (diski) mēra milisekundēs, bet atmiņas elementiem - nanosekundēs.

Principā pamaplatē var ievietot dažādu ražotāju atmiņas elementus ar dažādu pieejas laiku. Taču labāk ir to nedarīt. Pieejs laiks nekādā gadījumā nedrīkst atšķirties vairāk par 10 ns. Pretējā gadījumā sistēmas darba laikā var rasties nopietnas problēmas. Prakse rāda, ka vienā bankā vajag izmantot vienas firmas elementus.

Wait State

Normālai sistēmas darbībai starp procesoru un atmiņas elementiem nedrīkst būt ilgstoša saskaņošanās, kurai par iemeslu ir šo sastāvdaļu dažādie darbības ātrumi. Tieši tāpēc 80486 vai Pentium procesora datoros ievietotās atmiņas pieejas laikam ir jābūt ne vairāk kā 70 ns.

Lēni atmiņas elementi var sistēmu "uzkārt". Lai šo problēmu atrisinātu, atkarībā no pamatplates Chipset parametriem CMOS Setup automātiski vai ierakstot veic parametra Wait State (gaidīšanas cikls) uzstādīšanu. Šis parametrs norāda to, cik taktis procesoram ir jāizlaiž starp divām griešanās operācijām pie adresu maģistrāles. Papildus gaidīšanas taktis var būtiski palēlināt datora darbu kopumā. Tā, piemēram, 3 papildus gaidīšanas taktis (Wait State = 3) var samazināt ātrdarbību par 30%.

Atmiņas organizācija

Katram datora atmiņas elementam ir piešķirta adrese. Atmiņas elementi ir apvienoti mikroshēmas korpusā, kuras iz izvietotas uz nelielām spiestajām platēm. Šīs plates pamatplatē ievieto speciālās ligzdās, kuras sauc par bankām (Banks). Atkarībā no pamatplates tipa, banku organizācija ir dažāda. Lai operatīvā atmiņa varētu strādāt, bankai vienmēr ir jābūt pilnībā aizpildītai ar atmiņas elementiem. Ja banka nav pilnībā piepildīta, dators darbu neuzsāks, jo pēc tā ieslēgšanas notiek atmiņas testēšana. Ziņojumu par atmiņas elementos atrastajām kļūdām pamaplate nodot ar skaņas signālu.

Paketes režīms

Ar Intel savietojamajās mikroshēmās sākot ar 486 CPU piekļuvei pie atmiņas tiek realizēts tā saucamais paketes režīms (Burst). To realizē tā, ka nolasot no atmiņas vienu vārdu, kopā ar to tiek nolasīti vēl 3 blakus esošie. Datu pārsūtīšanas laiku taktīs parasti pieraksta tā: 7-3-3-3. Šajā pierakstā redzams, ka pirmā vārda pārsūtīšanai no RAM uz CPU nepieciešamas 7 taktis, bet pārējo - tikai trīs. Ideālā gadījumā tas būtu 2-1-1-1, taču sādas iespējas pašlaik ir realizētas tikai otrā līmeņa (L2) kešatmiņā.

Atmiņas pamīšus adresācija

Viens no dinamiskās atmiņas ātrdarbības palielināšanas metodēm ir atmiņas vadība, izmantojot pamīšus adreses (Interleaving mode). Tā balstās uz to, ka adreses loģiski saistītiem baitiem visbiežāk atmiņā arī izvietojas pēc kārtas. Pēc piekļūšanas dinamiskās atmiņas mikroshēmai ir nepieciešama īslaicīga pauze, lai tā varētu sagatavotos nākamajai nolasīšanas/ierakastīšanas operācijai. Lai izvairītos no šādām pauzēm, ir ieviesta pamīšus adresācija, t.i. blakus esošo atmiņas šūnu ievietošana dažādās bankās. Kamēr vienā no mikroshēmām tiks veikta atmiņas reģenerācija, procesors bez aizkavēšanās var lasīt informāciju no nākamās bankas.

Atmiņas dalīšana lapās

Gaidīšanas cikli (Wait State) palēlina datora darbu. Viena no ātrdarbības palielināšanas metodem ir atmiņas sadalīšana lapās (Packing mode). Metode par pamatu izmanto to pašu faktu, ko iepriekšējā - CPU nākošais baits atrodas tuvumā jau nolasītajam un ir ar to loģiski saistīts. No tā seko, ka var neatkārtot RAS signālu, ja izvēlētās rindas adreses atrodas vienas lapas ietvaros, t.i. to rindas adrese ir vienāda. Atmiņu dala lapās ar izmēriem no 512 baitiem līdz vairākiem kilobaitiem.

Atmiņas tipi

Atkarībā no izmantotās pamatplates tipa, tiek izmantota arī dažādu tipu atmiņa. Pamatplatēs ar 286 un 386SX procesoru tika izmantota DRAM atmiņa, bet 386 modeļos izmantoja SIP moduļus. Pamatplatēs ar 496 un Pentium procesoru sāka izmantot SIMM moduļus, jo tie bija efektīvāki un ar mazākiem izmēriem.

DRAM

Par dinamisko šo atmiņu sauc nevis tāpēc, ka tā ir būtu ātra, bet gan tāpēc, ka tās saturs periodiski ir jāatjauno. DRAM mikroshēmas marķē ar ciparu kodu, piemēram, 4164 un 4464. Šajā apzīmējumā 64 apzīmē saglabājamo bitu skaitu - 64 Kb. 1987. gadā izgatavoja vēl divus jaunus DRAM tipus ar apzīmējumiem 41484 un 41256. Tajos varēja glabāt par ceturtdaļu vairāk informācijas, bet mikroshēmas izmērs palielinājās tikai par 10%. 1989. gadā kompānija Siemens izgatavoja pirmo mikroshēmu ar ietilpību 1 Mb. Šīm mikroshēmām bija DIP (Dual In-line Package) tipa korpusi ar divām rindām kājiņu. Šo terminu attiecina uz korpusiem, kuriem kājiņas (Pins) ir novietas malās. Pats kristāls, kurā atrodas atmiņas šūnas, ir daudzkārt mazāks par pašu korpusu. Šādu korpusa konstrukciju noteica montāžas prasības ievietošanai pamatplatē, kā arī elementu darba temperatūras nodrošināšana.

Galvenie DRAM mikroshēmu parametri ir ietilpība un atmiņas organizācija. DRAM mikroshēmas atsevišķi tika ievietotas tikai vecajās pamatplatēs. Tagad tās izmanto SIP, ZIP un SIMM atmiņas moduļu veidošanai.

FPM DRAM

DRAM mikroshēmas, kurās ir realizēts lappušu režīms, sauc par FPM DRAM (Fast Page Mode Dram). Šī tipa atmiņa parādījās pēdējos datoru modeļos ar 80486 procesoru un kļuva plaši izplatīta. Piekļuves laiks šajās mikroshēmās salīdzinot ar parasto DRAM ir par 50% īsāks. Mikroshēmu ražotāji šī tipa atmiņu jaunākājās sistēmās iesaka neizmantot.

EDO RAM

Kopš 1994. gada datoros ar Pentium procesoru plaši sāka izmantot EDO RAM (Extended Data Otput) tipa atmiņu ar paplašinātu datu izvadi. Tajā tika pielietoti papildus datu glabāšanas reģistri un tādējādi tika palielināts no atmiņas vienlaicīgi izvadāmo datu daudzums. Reģistros šie dati glabājas līdz pat nākamajam pieprasījumam, tāpēc nākamās griešanās cikls pie atmiņas var sākties pirms vēl iepriekšējais būs beidzies. EDO RAM moduļi strādā par 10 - 15% ātrāk kā FPM DRAM. EDO RAM priešrocības ir īpaši jūtamas strādājot paketes režīmā. EDO atmiņu dažkārt sauc arī par Hyper Page Mode DRAM.

BEDO RAM

BEDO RAM (Burst EDO) mikroshēmas ir EDO RAM modifikācija, kurā četru pārraidei nododamo operandu (paketes) nolasīšana notiek automātiski. Tajā ir ievietots speciāls vārdu skaitītājs.

Ir eksperimentāli noskaidrots, ka procesoram ar 66 MHz taksts frekvenci paketes režīmam nepieciešamo ciklu skats ir: FPM atmiņai 7-3-3-3, EDO 7-2-2-2 un BEDO 7-1-1-1.

CDRAM, EDRAM

CPU, kurš strādā ar takts frekneci 100 MHz, 10 nanosekundēs izpilda vienu vai vairākas operācijas. EDO RAM un FPM RAM mikroshēmu piekļuves laiks ir 60 ns. CDRAM (Cache DRAM) un EDRAM (Ehcanced DRAM) mikroshēmās ir ievietots neliels skaits ātrdarbīgo SRAM atmiņas šūnu ar piekļuves laiku 10 - 15 ns. Tā, piemēram, vienā mikroshēmā ir ievietoti 16 Mb DRAM un 16 Kb SRAM. Integrētos SRAM elementus var uzlūkot par atmiņā iebūvētu kešatmiņu. Šādu mikroshēmu izmantošana palielina ātrdarbību.

SDRAM

Synhronous DRAM ir jaunas tehnoloģijas dinamiskās atmiņas mikroshēmas. Tās atšķiras ar to, ka visas operācijas atmiņas mikroshēmās ir sinhronizētas ar procesora takts frekvenci, t.i. atmiņa un CPU strādā sinhroni. Tas ir panākts, pielietojot iekšējo trīspakāpju konveijera mikroshēmas arhitektūru ar pamīšus adresēm. SDRAM tehnoloģija ļauj samazināt komandu izpildes un datu pārraides laiku, likvidējot gaidīšanas ciklus. SDRAM mikroshēmas var strādāt ar procesora frekvencēm 66, 75, 83, 100, 125,133, 143 un 166 MHz.

Šādas mikroshēmas ražo firmas Samsung, Micron un NEC. SDRAM mikroshēmas var izmantot Intel pamatplatēs 82430VX, 82430HX un 82430TX.

DDR SDRAM

Ir parādījusies jauna SDRAM modifikācija DDR (Double Data Rate) SDRAM, kurai teorētiski vajadzētu strādāt divreiz ātrāk par SDRAM. Tai ir sinhronais interfeiss, iekšējā konveijera sistēma, un kvadrātveida bankas arhitektūra, kas samazina piekļuves laiku rindai. Tās darbu nodrošina arī jaunākie VIA un RCC kontrolieri. Mikroshēmas ražo Micron, Samsung, Hitachi, Hyundai, IBM, Fujitsu, Toshiba un Mitsubishi. Savos datoros šo atmiņas veidu plāno izmantot tādi sistēmu ražotāji kā HP, IBM un SGI.

RDRAM

Viena no ātrākajām DRAM atmiņām ir pēc kompānijas Rambust tehnoloģijas izveidotā RDRAM (Rambus DRAM). Tajā izmantotās tehnoloģijas nosaukums ir Transmision Line Technology.

Atmiņu paredzēts izmantot datoros ar AMD K7 Athlon procesoru. Arī firma Intel ir izvēlējusies izmantot šo atmiņu ātrdarbīgajās sistēmās ar Pentium III un turpmākajiem procesoriem. Plāno, ka to ātrums būs 10x lielāks kā DRAM moduļiem un 3x kā SDRAM DIMM moduļiem.

Ir trīs Rambus tehnoloģijas paaudzes atmiņas. Pirmā un otrā strādā ar maksimālo datu pārraides ātrumu līdz 600 MHz un to izmanto izklaides (spēļu), grafiskajās darba stacijās un video grafikai. Trešās paaudzes nosaukums ir Direct Rambus. Direct Rambus atmiņas moduļu nosaukums ir RIMM. Tos ir paredzēts izmantot dažādās jaudīgās sistēmas. RIMM atmiņu uztur 820 Chipset (galda datoros) un 840 Chipset (darba stacijās), kuras ražot sāka 1999. g. 4. ceturksnī. Piezīmjdatoros un serveros RIMM tiks ieviesta 2000. gadā. Moduļu taksts frekvence ir 600, 700 un 800 MHz. Tā kā atmiņas datu kanāla platums ir 16 biti, reālais datu pārraides ātrums ir līdz 1,6 GB.

SLDRAM (SyncLink)

SLDRAM ir DRAM, kuras ātrums sacenšas ar Rambus. Šo atmiņas tipu izstrādā divpadsmit DRAM un sistēmu ražotāju konsorcijs. SLDRAM ir SDRAM arhitektūras līnijas turpinājums, kurš paplašina pašreizējās 4 bankas līdz 16. SLDRAM patreiz ir izstrādes stadijā un to plānots palaist ražošanā 1999.g.

Kopsavilkuma tabula

SIP moduļi

DRAM atmiņu datorā ievietot ir viegli, taču tā aizņem daudz vietas. Lai samazinātu datora sastāvdaļu izmērus (arī atmiņas) izstrādāja vairākus konstruktīvus risinājumus un atmiņas mikroshēmas vairs neievietoja pa vienai kopējā panelī, bet apvienoja vienā spiestās plates modulī.

Šīs tehnoloģijas nosaukums ir SMT (Surface Mounting Technology). SMT tehnoloģijas realizācijas rezultātā radās SIP moduļi ar vienpusēju izvadu izvietojumu (Single In-line Package, SIP). SIP modulis ir spiestā plate ar tajā kopīgi uzstādītām DRAM mikroshēmām. Platei ir 30 izvadi un tās izmēri ir 8 x 1,7 cm.

SIP moduļus ievieto speciālos tiem paredzētos pamatplates kontaktos. Tā kā plates kājiņas ir tievas, jāuzmanās, lai tās nesaliektu. Bez tam modulim var būt nedrošs kontakts ar pamatplati. Šie trūkumi bija par iemeslu nākamā tipa moduļu izveidei.

SIMM moduļi

SIMM modulis pēc saviem izmēriem ir līdzīgs SIP modulim, taču atšķiras ar kontaktu veidu. SIMM moduļiem ir PAD (dakšas) tipa kontakti. Tie ir izveidoti spiestā veidā un atrodas vienā plates pusē. Ar šo pusi SIMM moduļi ievieto speciālos pamaplates slotos. SIMM moduļiem ir drošāks elektriskais kontakts, tie ir mehāniski izturīgāki un ir izgatavoti no augstvērtīga materiāla un apzeltīti. Konstrukcija ir vienkārša, tāpēc arī atmiņas nomainīšanas vai papildināšanas process pašam lietotājam nesagādā nekādas grūtības.

Datoros ar 80386 un vecākiem procesoriem izmantoja 30 kontaktu SIMM moduļus ar DRAM mikroshēmām. Pamatplatē tiem paredzēto slotu skaits bija no 4 līdz 8. 80486 un Pentium procesoros izmanto 72 kontaktu SIMM moduļus ar FPM DRAM mikroshēmām.

30 un 72 kontaktu SIMM moduļa shēmas

DIMM moduļi

Nākamais modulis bija 168 kontaktu DIMM (Dual In-line Memory Module).

DIMM moduļu iekšējā arhitektūra ir līdzīga 72 kontaktu SIMM moduļiem, bet tā kā kontaktu skaits ir lielāks, palielinās to ražīgums.

Lai DIMM moduļus varētu pareizi atpazīt, tiem ir divi slēdži:

• Pirmais starp 10 un 11 kontaktu domāts atmiņas tipa noteikšanai (FPM DRAM vai SDRAM);
• Otrs atrodas starp 40 un 41 kontaktu un domāts moduļa barošanas sprieguma noteikšanai (5 V vai 3,3 V).

DIMM moduļus var ievietot pamaplatēs ar 82430VX, 82440FX, 83450KX/GX, 82430TX Chipset.

RIMM moduļi

RIMM ir 184 kontaktu modulis, kurā ir ievietotas RDRAM mikroshēmas. SO-RIMM ir mazāka izmēra (160 kontaktu) RIMM modulis.

SRAM

SRAM elementi ir līdzīgi DRAM elementiem, taču šī tipa atmiņai nav vajadzīga reģenerācija (Refresh). Burts S nosaukumā nozīmē Static (statiskā). Ja SRAM tipa atmiņu izmantotu operatīvajai, tā būtiski palielinātu datora ātrdarbību. Taču SRAM atmiņas elementu cenas ir daudz lielākas un tieši proporcionālas atmiņas ātrdarbībai. Ja piekļuves laiks DRAM ir 60 līdz 100 ns, tad ARAM - no 10 līdz 15 ns. Tāpēc to izmanto tikai speciāliem uzdevumiem - kešatmiņai un BIOS parametru glabāšanai.

Tāpat kā DRAM, arī SRAM elementos dati nevar saglabājas ilgstoši. Lai tie tur saglabātos, ir nepieciešams patstāvīga barošana no akumulatora. Tā kā SRAM elementi patērē ļoti maz strāvas, tad atmiņā dati var uzglabāties nemainīgi apmēram divus gadus arī tad, ja šajā laikā dators ne reizi netiek ieslēgts. SRAM izmantošanu kešatmiņā skatīt Kešatmiņa.

NVRAM

NVRAM izmanto ilgstošai tādu datu glabāšanai, kurus nekādā gadījumā nedrīkst pazaudēt. Burti NV nozīmē Non Volatile (bez laika). Šiem elementiem elektrobarošana nav nepieciešama un saturs stajās aglabājas ilgi.

ZIP RAM un citi atmiņas elementi

Pastāv arī citi atmiņas elementu veidi, kurus parasti izmanto nestandarta konfigurācijas sistēmās. Tā, piemēram ZIPRAM ir DRAM mikroshēmas ZIP korpusā. ZIPRAM elementu korpuss (Zigzag In-line Package) ir veidots tā, mikroshēmu izvadi ir izvietoti korpusa vienā pusē rindās šaha galdiņa veidā. ZIPRAM mikroshēmas ievieto speciālos pamatplates paneļos. Konstrukcijas priešrocība ir tā, ka tiek efektīvi izmantota datora korpusa iekšpuse, tāpēc tos izmanto portatīvajos datoros. Tagad tos aizstāj SIP un SIMM moduļi, kas telpu ekonomē vairāk.

Arī citi atmiņas tipi atšķiras tikai konstruktīvi. Funkcionāli tie atbilst DRAM vai SRAM. Tā, piemēram, RAM-PAC vai RAM-Cartridges izmanto nevis operatīvajai atmiņai, bet ārējās iekārtās (printeros, ploteros) vai piezīmjdatoros.

Atmiņas paplašināšanas kartes

Atmiņas paplašināšanas kartes izmantoja AT 286 datoros. XT datoru operatīvās atmiņas apjoms bija 256 KB. 80286 procesors varēja adresēt jau 1 MB atmiņas. Tāpēc bija nepieciešamas papildus atmiņas bankas. Tā parādījās paplašināšanas kartes, kurās ievietoja papildus DRAM elementus. Lai strādātu ar šādu karti, bija nepieciešama speciāla programma, kuru pārdeva kopā ar karti. Šo standartu sauca par LIM (pēc to ražotājfirmu nosaukumiem: Lotus, Intel, Microsoft).

Citas atmiņu raksturojošas lietas

Ligzdas (sloti)

Lielākā daļa pamatplašu, kas ražotas pēc 1992. gada, satur četras garas, parasti baltas SIMM ligzdas. Daudzas pēdējos gados ražotās pamatplates satur divas garākas, parasti melnas DIMM ligzdas.

Katram modulim plāksnītes apakšējā malā ir kontaktu ligzdas, kas ļauj to iespraust uz pamatplates izvietotā ligzdā. Katram SIMM parasti ir 30 vai 72 kontakti, bet DIMM ir 168 kontakti.

Jaunakajos modeļos ir parādādījušās arī RIMM ligzdas.

Paritāte

Atmiņas moduļi ir vai nu ar paritātes kontroli, vai bez tās. Paritātes atmiņai ir papildus mikrosmēma, parasti devītā, kas pievienota paritātes kontrolei. Dažas pamatplates strādā vai nu ar paritātes moduļiem, vai ar moduļiem bez paritātes, bet nestrādās ar abu kombināciju.

ECC

Daudzu moderno pamatplašu Chipset uztur atmiņu arī kļūdu labošanu (ECC). Šī tipa atmiņas mikroshēmas izvēlas tad, ja nepieciešams īpaši stabils,drošs un ātrs sistēmas darbs.

Mikroshēmu skaits

Vienkāršākā gadījumā atmiņas mikroshēma glabā 1 bitu katra adresē, bet ir arī mikroshēmas, kas atdod 2, 4, vai 8 bitus uz atsevišķām kājiņām. Lai varētu izveidot atmiņu no 1 bitu mikroshēmām, kas operē ar baitu vienlaicīgi, ir nepieciešams izmantot astoņas šādas mikroshēmas.

Nepieciešamais atmiņas apjoms

Vienīgais vispārzināmais ar atmiņu saistītais raksturlielums ir atmiņas apjoms. Minimālais mūsdienu datora atmiņas apjoms ir 16 MB. Lai optimāli varētu strādāt ar AGP videokartēm, apjomam jābūt vismaz 64 MB.

Visas operacionālās sistēmas, ja darbam ir nepieciešams vairāk atmiņas nekā ir, darbu nepārtrauc. Pašlaik neizmantojamos datus tā saglabā cietajā diskā speciālā failā (Swap), bet vēlāk pēc vajadzības ievieto atkal atmiņā. Šis process norisinās daudz lēnāk, nekā izmantojot RAM.

Atmiņas ražotāji iesaka šādus atmiņas apjomus:

Ražotāji un perspektīvas

2000. gada 17. janvārī Hyundai Electronics, Infineon Technologies, Intel Corporation, Micron Technology, Inc., NEC Electronics, Inc. un Samsung Electronics paziņoja par kopēju jaunas DRAM tehnoloģijas izstrādi. Šī tipa mikroshēmas paredzētas izmantošanai 2003. gada potenciālajās lietojumprogrammās.